Специалисты концерна BASF разработали улучшенную методику нанесения медного покрытия, которая может с успехом использоваться при производстве интегральных микросхем – как в настоящее время, так и в перспективе. Это инновационное химическое решение, ставшее результатом реализации начатой в июне 2007 г. совместной исследовательской программы BASF и IBM , обладает преимуществами по сравнению с другими разработками, существующими по состоянию на сегодняшний день. Следующий этап данной программы предусматривает определение параметров для перехода к серийному производству продукции. Начало коммерческого внедрения сопутствующих технологий, химикатов и других материалов запланировано на середину 2010 года. «Мы очень высоко оцениваем это инновационное химическое решение. Специалисты IBM и BASF применили новый подход к использованию понимания механизма осаждения меди для разработки молекулярных добавок», - отметил д-р Дитер Майер, старший менеджер отдела разработки материалов для электронной промышленности, возглавляющий данный проект со стороны концерна BASF . – «Опираясь на мощные ресурсы BASF и IBM , мы сумели преодолеть сложные проблемы и значительно продвинулись по пути к производству чипов меньшего размера, отличающихся лучшей надежностью и обеспечивающих повышенное быстродействие». Отсутствие дефектов по линиям соединений – это одно из наиболее важных требований, предъявляемых к технологиям осаждения меди. Традиционный подход предусматривает, что скорость осаждения повсеместно (наверху, внизу и по бокам) является одинаковой, что может привести к возникновению «швов» и других дефектов. Химическое решение, предложенное специалистами BASF , обеспечивает ускоренное улучшенное заполнение ( "суперзаполнение") медью даже самых мелких канавок и перемычек с образованием безупречных линий. При этом в нижней части осаждение идёт с большей скоростью, чем наверху и по бокам. Благодаря высокой электропроводности, использование меди в качестве металла, образующего проводники, ведёт к значительному улучшению характеристик чипов. Процесс осаждения имеет исключительно большое значение для создания многоуровневых соединяющихся структур. На сегодняшний день изготовители микросхем оперируют размерами узлов на уровне 32 нм; ожидается, что в 2011 году появятся разработки нового поколения, в которых данный показатель будет составлять 22 нм. Производство современных высококачественных микросхем требует доскональных знаний в химической области: чем меньше размер чипа, тем труднее становится задача создания его внутренней структуры, при решении которой невозможно обойтись без сложных разработок в сфере химических технологий. Предложенная усовершенствованная методика нанесения медного покрытия применима и для сегодняшнего (32 нм), и для будущего (22 нм) поколения интегральных микросхем. Она значительно повышает надежность чипов, а также позволяет улучшить их качество и эксплуатационные характеристики.
www.newchemistry.ru |
