Трение нанокомпозитов (часть IV) |
Много раз отмечалась зависимость макротрибологических свойств DLC и алмаза от уровня влажности. Трибохимические реакции происходят, но физическая адсорбция элементов окружения также имеет значение. |
Лишь в последнее время начало возникать понимание сути воздействия влажности на эти материалы на наноуровне. Например, в случае работы иглы АСМ из Si3N4 на DLC пленке, созданной методом ионного осаждения источника плазмы, трение при отсутствии износа изменяется монотонно и может обратиться при увеличении относительной влажности (RH) от <5% до 60%, и увеличивается при более высокой влажности. Это соответствует примерно 40% увеличению сопротивления сдвигу на границе. Удивителен тот факт, что адгезия демонстрирует отсутствие зависимости от RH. Эти результаты показывают, что традиционная картина формирования мениска, ведущего к усилению трения и адгезии, не отображает в действии механизм этой системы, так как адгезия должна изменяться в зависимости от RH. Авторы предполагают, что поглощенная из окружающей среды вода, очевидно, повышает сопротивление сдвигу. Группа Шварца (Schwarz), использовавшая покрытые углеводородом иглы АСМ, обнаружила, что фрикционные свойства алмаза и аморфного углерода бывают различными в условиях атмосферы (при RH на уровне 40–60%) и сухого Ar. Самое высокое сопротивление сдвигу на границе было обнаружено у a-C в условиях атмосферы. Следующий по уровню показатель продемонстрировал алмаз при аналогичных условиях, затем - a-C в условиях сухого Ar, и, наконец, алмаз в условиях сухого Ar. Также в условиях сухого Ar наблюдается ослабление сил адгезии. Благодаря им усиление трения в условиях окружающей среды можно отнести к присутствию воды на поверхности образцов. Также их присутствие позволяет предположить, что большое значение может иметь загрязнение поверхности при контакте с окружающими условиями. Оба этих исследования качественно соответствуют моделям МД группы Ганга (Gang), обнаружившей, что поглощение третьих тел (например, углеводородное загрязнение) на чистых поверхностях несоразмерных кристаллов или аморфных материалов может усилить статическое трение. Захваченные молекулы скапливаются в местах усиления трения на границе, которое в ином случае было бы чрезвычайно низким на этих несоразмерных поверхностях. Также были рассмотрены другие поглощаемые элементы. MD симуляции с молекулами метана на участке между двумя поверхностями Н-покрытого алмаза демонстрируют, что трение ослабевает в сравнении со скольжением при их отсутствии. Колебания кристаллической решетки, происходившие на поверхностях алмаза, определяют зависимость между трением и нагрузкой. При отсутствии метана повышение нагрузки увеличивает колебательное возбуждение кристаллической решетки и, следовательно, трение. После захвата метана между поверхностями колебательное возбуждение, инициированное в верхней части кристаллической решетки алмаза скольжением, очень мало, что в результате приводит к более низкому сопротивлению против скольжения. Воздействие материала подложки, толщины и шероховатости поверхности К другим важным факторам относятся толщина пленки, шероховатость подложки и жесткость подложки. Покрытия подложки, состоящие из твердого углерода, представляют особый интерес для области производства жестких дисков. Многие группы сообщали, что для покрытия необходимо найти критическую толщину пленки (обычно >5 нм), чтобы можно было получить исключительные свойства трения и износа на наноуровне, которыми могут обладать эти материалы. К тому же, шероховатость и модуль подложки могут повлиять на свойства покрытия. В результате шероховатость подложки передается покрытию способом, аналогичным тому, как ta-C и DLC пленки покрывают подложку. Более низкий уровень упругости подложки может стать причиной изгиба под действием применяемых нагрузок, что может привести к увеличению зоны контакта и, следовательно, трения. Так как толщина покрытия достигает действительной нижней границы, проблемой становится определение внутренних свойств и функциональных возможностей покрытий для применения в областях, где требуется устойчивость к износу и коррозии. Углеродные наноиглы
Рис. 10. Полученные на сканирующем электронном микроскопе микрофотографии образца в алмазной оболочке (а) до и (b) после прохождения расстояния скольжения в 450 мм на образце Cu с добавлением наклонного изображения.
Рис. 11. Полученные на просвечивающем сканирующем микроскопе микрофотографии различных игл со сферическими вершинами, которые были подготовлены с использованием разложения, обусловленного электронными пучками, внутри TEM. Перспективы
Любовь Олиферова |